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FET，MOSFET - 阵列
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CSD87503Q3E

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）共源
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
13.5 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
17.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1020pF @ 15V
功率 - 最大值
15.6W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-VSON（3.3x3.3）
商品其它信息
优势价格，CSD87503Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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