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FET，MOSFET - 阵列

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SIZ980BDT-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
23.7A（Ta），54.8A（Tc），54.3A（Ta），197A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
4.39 毫欧 @ 15A，10V，1.06 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
18nC，79nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
790pF，3655pF @ 15V
功率 - 最大值
3.8W（Ta），20W（Tc），5W（Ta），66W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerPair™
供应商器件封装
8-PowerPair™
商品其它信息
优势价格，SIZ980BDT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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