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FET，MOSFET - 阵列
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IRF5810TR

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
HEXFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.9A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
90 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
9.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
650pF @ 16V
功率 - 最大值
960mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
商品其它信息
优势价格，IRF5810TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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