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UGBT、MOSFET - 单
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APT35GA90B

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 8™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
900V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
63A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
105A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.1V @ 15V，18A
功率 - 最大值
290W
开关能量
642µJ（开），382µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
84nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/104ns
测试条件
600V，18A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
600V，18A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 [B]
商品其它信息
优势价格，APT35GA90B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AOT20B65M1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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IGBT 650V 20A TO220
暂无价格
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DGTD65T40S1PT
Diodes Incorporated
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IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
暂无价格
参考库存:30080

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