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UGBT、MOSFET - 单

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MMIX1G320N60B3

  • IXYS
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  • MOSFET N-CH
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
400A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
1000A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.5V @ 15V，100A
功率 - 最大值
1000W
开关能量
2.7mJ（开），5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
585nC
25°C 时 Td（开/关）值
44ns/250ns
测试条件
480V，100A，1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
66ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
24-PowerSMD，21 引线
供应商器件封装
24-SMPD
商品其它信息
优势价格，MMIX1G320N60B3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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IGBT 600V 120A 600W TO247
暂无价格
参考库存:34222

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