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UGBT、MOSFET - 单

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IXA70R1200NA

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
100A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值
350W
开关能量
4.5mJ（开），5.5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
190nC
25°C 时 Td（开/关）值
70ns/250ns
测试条件
600V，50A，15 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
600V，50A，15 欧姆，15V
工作温度
600V，50A，15 欧姆，15V
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
商品其它信息
优势价格，IXA70R1200NA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXGK35N120B
IXYS
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IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
暂无价格
参考库存:35854
IXGX64N60B3D1
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IGBT 600V 460W PLUS247
暂无价格
参考库存:12722
IRG4PC50WPBF
Infineon Technologies
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IGBT 600V 55A 200W TO247AC
暂无价格
参考库存:11004
IXXP50N60B3
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT
暂无价格
参考库存:35866
IXBH10N170
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
暂无价格
参考库存:9604

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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