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UGBT、MOSFET - 单
FGAF20N60SMD参考图片

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FGAF20N60SMD

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
60A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.7V @ 15V,20A
功率 - 最大值
75W
开关能量
452µJ(开),141µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
64nC
25°C 时 Td(开/关)值
12ns/91ns
测试条件
400V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
26.7ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3 整包
供应商器件封装
TO-3PF
商品其它信息
优势价格,FGAF20N60SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
暂无价格
参考库存:47109
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 28A 167W D2PAK
暂无价格
参考库存:47117
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
暂无价格
参考库存:47133
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 80A 305W TO247-3
暂无价格
参考库存:47141
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 80A 50W TO-3PFM
暂无价格
参考库存:47149
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