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UGBT、MOSFET - 单
IXYH50N65C3D1参考图片

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IXYH50N65C3D1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™,GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
132A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
250A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.1V @ 15V,36A
功率 - 最大值
600W
开关能量
800µJ(开),800µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
86nC
25°C 时 Td(开/关)值
20ns/90ns
测试条件
400V,36A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
36ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
商品其它信息
优势价格,IXYH50N65C3D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 50A 174W TO-247N
暂无价格
参考库存:5916
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 64A 250W TO247
暂无价格
参考库存:30274
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 175A 520W SMPD
暂无价格
参考库存:30282
UGBT、MOSFET - 单
FS3 T TO247 75A 650V 4WL
暂无价格
参考库存:6250
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1350V 15A TO247-3
暂无价格
参考库存:9552
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