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UGBT、MOSFET - 单
AFGB30T65SQDN参考图片

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AFGB30T65SQDN

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 650V/30A FS4 IGBT TO263 A
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK®
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
220W
开关能量
-
输入类型
-
栅极电荷
56nC
25°C 时 Td（开/关）值
14.5ns/63.2ns
测试条件
400V，30A，6 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
245ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK-3（TO-263-3）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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IGBT 600V 145A 400W ISOPLUS247
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IXYS
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DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
暂无价格
参考库存:13790

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