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UGBT、MOSFET - 单
STGB19NC60HDT4参考图片

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STGB19NC60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 600V 40A 130W D2PAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
PowerMESH™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
60A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.5V @ 15V,12A
功率 - 最大值
130W
开关能量
85µJ(开),189µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
53nC
25°C 时 Td(开/关)值
25ns/97ns
测试条件
390V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
31ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格,STGB19NC60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK
暂无价格
参考库存:50067
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 48A 150W TO220AB
暂无价格
参考库存:50075
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 90A 300W TO-247
暂无价格
参考库存:50083
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
暂无价格
参考库存:50091
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 22A 40W TO220FP
暂无价格
参考库存:50099
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