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UGBT、MOSFET - 单
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STGP10NB60SD

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
PowerMESH™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
29A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.75V @ 15V,10A
功率 - 最大值
80W
开关能量
600µJ(开),5mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
33nC
25°C 时 Td(开/关)值
700ns/1.2µs
测试条件
480V,10A,1 千欧,15V
反向恢复时间(trr)
37ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
商品其它信息
优势价格,STGP10NB60SD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 90A 385W TO247AD
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暂无价格
参考库存:39835
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