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UGBT、MOSFET - 单
RJH60D3DPP-M0#T2参考图片

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RJH60D3DPP-M0#T2

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
35A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
35A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.2V @ 15V,17A
功率 - 最大值
40W
开关能量
200µJ(开),210µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
37nC
25°C 时 Td(开/关)值
35ns/80ns
测试条件
300V,17A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
100ns
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FL
商品其它信息
优势价格,RJH60D3DPP-M0#T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 60A 187W TO247-3
暂无价格
参考库存:5103
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK
暂无价格
参考库存:84550
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 67A 272W TO247
暂无价格
参考库存:4592
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
暂无价格
参考库存:7349
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 90A 625W TO247
暂无价格
参考库存:49011
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