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UGBT、MOSFET - 单
SGR2N60UFDTM参考图片

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SGR2N60UFDTM

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
2.4A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
10A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.6V @ 15V，1.2A
功率 - 最大值
25W
开关能量
30µJ（开），13µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
9nC
25°C 时 Td（开/关）值
15ns/80ns
测试条件
300V，1.2A，200 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
300V，1.2A，200 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
D-Pak
商品其它信息
优势价格，SGR2N60UFDTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:5914

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