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UGBT、MOSFET - 单
SGM2N60UFTF参考图片

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SGM2N60UFTF

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
2.4A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
10A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.6V @ 15V，1.2A
功率 - 最大值
2.1W
开关能量
30µJ（开），13µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
9nC
25°C 时 Td（开/关）值
15ns/80ns
测试条件
300V，1.2A，200 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
300V，1.2A，200 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223-4
商品其它信息
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