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双极性晶体管（BJT）- 阵列
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QS5Y2FSTR

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. DEVI
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
NPN，PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
180 @ 50mA，3V
功率 - 最大值
500mW
频率 - 跃迁
320MHz，300MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
供应商器件封装
TSMT5
商品其它信息
优势价格，QS5Y2FSTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
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